Установка химического атомно-слоевого осаждения
Atomic Layer Deposition (ALD 2)

Установка предназначена для атомно-слоевого осаждения плёнок оксидов, сульфидов и нитридов металлов при производстве солнечных батарей.

Установка обеспечивает реализацию процесса нанесения компактных тонких пленок оксида алюминия, оксида индия (III), оксида цинка, оксида олова (IV), оксида титана (IV), оксида циркония (IV), сульфида марганца (II) и нитрида титана методом атомно-слоевого осаждения. А также обеспечивать возможность потенциального нанесения других оксидов, сульфидов и нитридов металлов.

Максимальная толщина пленочного покрытия до 150 нм. Неоднородность по толщине осаждаемых пленок должна быть не более 5%.