Установка атомно-слоевого осаждения
плёнок оксида алюминия
Atomic Layer Deposition (ALD)

Установка предназначена для осаждения тонких плёнок на полупроводниковые пластины диаметром до 200 мм. Она может работать как автономно, так и в составе производственных комплексов с автоматической системой загрузки и выгрузки пластин.

Технология Atomic Layer Deposition (ALD) основана на контролируемой химической реакции между поверхностью подложки и реагентами. Последовательная подача двух и более реагентов приводит к образованию монослоя материала. Циклическое повторение процесса позволяет послойно формировать плёнку требуемой толщины с атомарной точностью и высокой равномерностью покрытия.