Установка атомно-слоевого осаждения
плёнок оксида алюминия
Atomic Layer Deposition (ALD)

Установка предназначена для проведения процессов осаждения тонких пленок на полупроводниковые пластины диаметром до 200 мм. Установка способна работать как в автоматическом режиме в составе сложных комплексов с системой автоматической перегрузки пластин, так и автономно.

Процесс осаждения основан на химическом взаимодействии между поверхностью подложки и реагентами. Два или более реагентов последовательно вступают в реакцию с активными группами поверхности, осаждаясь в виде одного монослоя материала. Циклическая подача реагентов позволяет послойно осадить тонкую пленку целевого материала требуемой толщины с высокой точностью.