Установка разгонки легирующей примеси в полупроводниковых приборах с контролем электрических параметров
Установка предназначена для получения протяжённых областей объёмного заряда в литий-дрейфовых детекторах ионизирующих излучений. Принцип работы установки: для проведения дрейфа ионов лития в кремниевом кристалле на p-n- переход подаётся постоянное обратное смещение при повышенной температуре. Упрощённо установка состоит из подогреваемой плиты, на которую устанавливаются кристаллы кремния, источника питания, с которого на кристаллы подаётся постоянное обратное смещение и приборов, контролирующих и регулирующих режим дрейфа.
Технические характеристики рабочей зоны: - Контакты для прижима: подвижный контакт диаметром 4мм со сферическим наконечником; - Усилие прижима 0,2 кгс; - Толщина прижимаемых кристаллов 0,7 – 3 мм.
Оставьте свои данные для связи с нами
Нажимая на кнопку, вы соглашаетесь с условиями о персональных данных
Контакты
Телефон: +7 (499) 729 77 51 micsen@mail.ru
Москва, Зеленоград, Георгиевский пр-кт, дом № 5, строение 1 (Научный центр)